Mosfet Canal P 100a
Les 10 meilleurs produits en août 2025
Dernière mise à jour :
3 août 2025
Innfeeltech
Innfeeltech 10 Transistors MOSFET IRF4905 74A 55v transistor à effet de champ Canal P to - 220 puissance MOSFET redresseur de transistor à effet de champ
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98
QUALITÉ MAXIMALE
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#1 GAGNANT
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Le paquet comprend : 10 Pcs IRF4905 MOSFET Transistors
Réglementation : Courant de drainage MAX 74A, Tension MAX Vds 55V, Puissance MAX 200W
Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
Polarité du transistor : PMOS Transistor à canal P. Boîtier To-220AB encapsulé
Application : Appliquer aux applications de commutation de haute puissance et d'amplification de signal dans les appareils électroniques.
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BOJACK
BOJACK IRF9540 MOSFET Transistors IRF9540N 23 A 100 V MOSFET de puissance à canal P TO-220AB (paquet de 10 pièces)
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97
QUALITÉ SUPÉRIEURE
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#2
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Type de transistor: MOSFET
Polarité du transistor: canal P
Courant de vidange (Id Max): 23 A
Tension Vds Max: 100V
Puissance (max): 140W
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Bestlymood
Bestlymood 10 X MOSFET de Puissance IRF9540 à Canal P 23A 100V TO-220 PoucesIR"
92
QUALITÉ EXCELLENTE
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#3
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Plus le est , meilleure est la conduite de l'appareil. Les porteurs de charge entrent dans le à la source et sortent par le drain.
Le MOSFET (transistor à effet de à semi-conducteur à oxyde métallique, prononcé MAWS-feht) est un type spécial de transistor à effet de (FET) fonctionne en faisant électroniquement la largeur d'un le long duquel les porteurs de charge (électrons ou trous) s'écoulent.
La largeur est contr？lée par la tension sur une électrode appelée grille, est située physiquement entre la source et le drain et est isolée par une couche extrêmement mince d'oxyde métallique.
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Tarragona
10 X MOSFET de IRF9540 à Canal P 23A 100V TO-220 PoucesIR"
89
QUALITÉ DISTINGUÉE
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#4
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Plus le canal est , meilleure est la conduite de l'appareil. Les porteurs de charge entrent dans le canal à la source et sortent par le drain.
Le MOSFET (transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique, prononcé MAWS-feht) est un type spécial de transistor à effet de champ (FET) fonctionne en faisant électroniquement la largeur d'un canal le long duquel les porteurs de charge (électrons ou trous) s'écoulent.
La largeur du canal est contrôlée par la tension sur une électrode appelée grille, est située physiquement entre la source et le drain et est isolée du canal par une couche extrêmement mince d'oxyde métallique.
5,83 € (306,84 € / kg) SUR AMAZON
ALLECIN
ALLECIN 10 Pièces IRF4905 IRF4905P IRF4905PBF Transistors MOSFET Canal P 55V 74A 55 Volt 74 Ampère TO-220
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QUALITÉ FIABLE
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#5
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ALLECIN IRF4905 IRF4905P IRF4905PBF Transistors MOSFET Canal P - Composants électroniques couramment utilisés.
Tension drain-source (Vds) : 55V ; Courant continu (Ids) : 74A ; Puissance (maximale) : 200W.
Caractéristiques & Avantages : Technologie de processus avancée & Résistance extrêmement faible & Commutation rapide.
Large application : Les Transistors MOSFET Canal P IRF4905 IRF4905P IRF4905PBF sont largement utilisés dans divers composants électroniques.
Emballage humanisé pour un stockage et une utilisation faciles. # Marquages imprimés pour une identification facile.
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be in your mind
Be In Your Mind 10pcs IRF4905 Transistor MOSFET TO-220 Transistor à Effet de Champ à Canal P 74A 55V Tubes à Effet de Champ Redresseur à Canal P 2.54mm
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QUALITÉ BONNE
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#6
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Modèle : IRF4905 ; ID de courant de drain continu : 74 A ; Tension source de drain Vds : 55 V ; Polarité du transistor : Canal P.
Matériau durable : Le transistor est fabriqué en matériau semi-conducteur à oxyde métallique, qui a une bonne stabilité thermique et une longue durée de vie.
Technologie de processus avancée : Le transistor est une sorte de composant électronique de précision avec une résistance d'entrée élevée, un faible bruit, une faible consommation d'énergie et une large plage dynamique.
Application : Il s'agit d'un dispositif semi-conducteur de puissance couramment utilisé dans les circuits électroniques, qui peut être utilisé comme commutateurs électroniques, redresseurs contrôlables, etc.
Multifonction : Redresseur à canal P avec de multiples fonctions telles que la détection, le redressement, l'amplification, la commutation, la stabilisation de la tension et la modulation du signal, largement utilisé dans les circuits intégrés à grande et très grande échelle.
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PENGLIN
PENGLIN Lot de 10 transistors MOSFET IRF9540 N canal P 23 A 100 V TO-220 3 broches
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#7
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Modèle : IRF9540 ; courant de drainage permanent ID : 23 A ; tension de drainage Vds : 100 V ; polarité du transistor : canal P.
Matériau durable : le transistor Mosfet IRF9540 est fabriqué en matériau semi-conducteur à oxyde métallique, qui a une bonne stabilité thermique et une longue durée de vie.
Technologie de processus avancée: Le transistor est un composant électronique de précision avec une résistance d'entrée élevée, un faible bruit, une faible consommation d'énergie et une large plage dynamique.
Application: Le transistor Mosfet à canal P IRF9540N est un composant semi-conducteur de puissance couramment utilisé dans les circuits électroniques, qui peut être utilisé comme interrupteur électronique, redresseur contrôlable, etc.
Multifonction : redresseur à canal P avec plusieurs fonctions telles que la détection, le redressement, le gainage, la commutation, la stabilisation de la tension et la modulation du signal, largement utilisés dans les grands et très grands circuits intégrés.
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Staccatory
10 x IRF9540 MOSFET canal P 23 A 100 V TO-220 IR
77
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#8
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Plus le canal est large, plus l'appareil fonctionne. Les supports de charge entrent dans le canal et passent par le drain.
MOSFET (transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique, prononcé MAWS-feht) est un type spécial de transistor à effet de champ (FET) dans lequel la largeur d'un canal le long du support de charge (électrons ou trous) circule électroniquement.
La largeur du canal est contrôlée par la tension sur une électrode appelée portière, qui se situe physiquement entre la source et le drain et est isolée du canal par une couche d'oxyde métallique extrêmement fine.
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VGOL
VGOL Lot de 50 transistors à effet de champ AO3400 A09T 5,7 A 30 V canal N canal P compatible avec transistor MOSFET SMD AO3400 SOT-23
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#9
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Application : généralement utilisé dans les applications à haute fréquence telles que l'amplification RF, le traitement du signal et les applications de gestion de l'alimentation.
Emballage : sécurisé dans un sac antistatique offrant une protection électrostatique, une sécurité ESD et une durée de vie prolongée.
Caractéristiques : tension du transistor canal N : 30 V et courant : 5,7 A, température minimale -55 °C, température maximale 150 °C ± 30 °C.
REMARQUE : L'exposition à des conditions maximales absolues pendant de longues périodes peut affecter la fiabilité de l'appareil
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Pqahffowr
Pqahffowr 10 X MOSFET de Puissance IRF9540 à Canal P 23A 100V TO-220 PoucesIR "
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Plus le canal est large, meilleure est la conduite de l'appareil. Les porteurs de charge entrent dans le canal à la source et sortent par le drain.
Le MOSFET (transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique, prononcé MAWS-feht) est un type spécial de transistor à effet de champ (FET) qui fonctionne en faisant varier électroniquement la largeur d'un canal le long duquel les porteurs de charge (électrons ou trous) s'écoulent.
La largeur du canal est contrôlée par la tension sur une électrode appelée grille, qui est située physiquement entre la source et le drain et est isolée du canal par une couche extrêmement mince d'oxyde métallique.
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